半导体功率器件

摘要

本发明提供一种改良的半导体功率器件，其包含有若干个功率晶体管晶胞，每一晶胞进一步包含一位于漂移层顶面的栅极氧化层所组成的平面栅极，来构成半导体衬底的最顶层，其中该平面栅极更组构有一分离栅极，其包含有在栅极层上的缺口开口，此栅极的总表面积被缩小。晶体管晶胞进一步包含有一JFET(结型场效应晶体管)扩散区域，其位于栅极层的缺口下方的漂移层上，JFET扩散层具有比漂移区域高的掺杂浓度，以减小半导体功率器件的沟道电阻。晶体管晶胞进一步包含有浅表面掺杂区域，其位于栅极下方邻接JFET扩散区域的漂移层顶表面附近，其中浅表面掺杂区域的掺杂浓度低于JFET扩散区域且高于漂移层。

主权项

一种半导体功率器件，其特征在于，包含有若干个功率晶体管单元，其中每一单元包含有：一平面栅极，平面栅极被一栅极氧化层衬垫，该栅极氧化层沉积在组成半导体衬底上层的漂移层之上，其中平面栅极进一步组成了包含有位于栅极层上的开放缺口的分离栅极，因此，该栅极的总表面积减少了；一JFET结型场效应晶体管扩散区域，该区域设置在栅极层的缺口下方的漂移层，该区域延伸到比设置在漂移层中的体区底部深度更深的衬底底部，该体区位于该分离栅极下方，且围绕该JFET结型场效应晶体管扩散区域，并且掺杂与该JFET结型场效应晶体管扩散区域不同的掺杂物，该JFET结型场效应晶体管扩散区域具有比漂移区域高的掺杂浓度，从而降低该半导体功率器件的沟道电阻。