发明名称 |
碲化镉薄膜太阳能电池背接触层制作方法及立式镀膜装置 |
摘要 |
本发明公开了一种碲化镉薄膜太阳能电池背接触层制作方法,其制作过程均在真空环境中进行,步骤为:对衬底进行预加热至160~220℃;将衬底加热至230~320℃后进行碲化锑磁控溅射;将衬底冷却至80~120℃后进行镍钒合金溅射;将上述衬底降温到70℃以下后出料,采用这种方法制得的碲化镉薄膜太阳能电池背接触层镀膜均匀,针孔数量少。本发明还公开了采用上述方法制作碲化镉薄膜太阳能电池背接触层的立式镀膜装置,该装置包括但不限于采用真空阀门串联的预加热腔、保温碲化锑沉积腔、镍钒合金沉积腔、降温出料腔、真空系统等,该装置可实现对衬底的双面同时进行镀膜,增加镀膜有效区间,提高生产效率,易于检修。 |
申请公布号 |
CN102628163A |
申请公布日期 |
2012.08.08 |
申请号 |
CN201210117624.2 |
申请日期 |
2012.04.20 |
申请人 |
成都中光电阿波罗太阳能有限公司 |
发明人 |
潘锦功;谢义成;刘映天;傅干华 |
分类号 |
C23C14/35(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
C23C14/35(2006.01)I |
代理机构 |
泰和泰律师事务所 51219 |
代理人 |
魏常巍;伍姝茜 |
主权项 |
一种碲化镉薄膜太阳能电池背接触层制作方法,其特征在于:该制作过程均在真空环境中进行,步骤如下:第一步,对衬底(1)进行预加热至160~220℃,一边加热一边抽真空;第二步,将衬底(1)加热至230~320℃,再进行碲化锑磁控溅射,碲化锑的厚度为10~150nm;第三步,将上述衬底(1)冷却至80~120℃后,进行镍钒合金溅射,镍钒合金的厚度为0.5~5 m;第四步,将上述衬底(1)降温到70℃以下后出料,制得碲化镉薄膜太阳能电池背接触层。 |
地址 |
610200 四川省成都市双流西航港经济开发区腾飞三路485号 |