叠层式半导体组件制备方法

摘要

本发明公开了一种叠层式半导体组件的制备方法，其中该组件包括半导体元件、散热座、黏着层、端子、被覆穿孔及增层电路。该散热座包括一凸块、一基座及一凸缘层。该凸块定义出一凹穴。该半导体元件设置于凸块上且位于凹穴处，并电性连接至该增层电路，并与凸块热连结。该凸块自基座延伸进入黏着层的开口，且该基座自凸块朝相反于凹穴的方向垂直延伸，同时该凸缘层于凹穴入口处自凸块侧向延伸。该增层电路可提供半导体元件的信号路由。该被覆穿孔可提供增层电路与端子间的信号路由。该散热座可为半导体元件提供散热作用。

主权项

一种散热增益型叠层式半导体组件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一凸块、一凸缘层、一黏着层及一具有通孔的导电层，其中该凸块定义出面朝第一垂直方向的一凹穴，且在相反于该第一垂直方向的第二垂直方向上覆盖该凹穴，同时该凸块邻接该凸缘层并与该凸缘层一体成型，且自该凸缘层朝该第二垂直方向延伸，而该凸缘层则自该凸块朝垂直于该第一及第二垂直方向的侧面方向侧向延伸；然后通过该黏着层将该凸缘层及该凸块黏附至该导电层，其中该黏着层介于该凸缘层与该导电层之间及该凸块与该导电层之间，此步骤包括将该凸块对准该通孔；然后将包含一接触垫的一半导体元件设置于该凸块上且位于该凹穴处；提供一增层电路于该半导体元件及该凸缘层上，其中该增层电路自该半导体元件及该凸缘层朝该第一垂直方向延伸，且电性连接至该半导体元件；提供一基座，其邻接该凸块并自该凸块朝该第二垂直方向延伸，且在该第二垂直方向上覆盖该凸块并自该凸块侧向延伸，同时该基座包括邻接该通孔且与该凸块保持距离的该导电层一选定部位；提供一端子，其与该基座及该凸块保持距离，并朝该第二垂直方向延伸于该黏着层外，同时该端子包括与该通孔及该凸块保持距离的该导电层一选定部位；以及提供一被覆穿孔，其朝该第一及第二垂直方向延伸贯穿该黏着层，以提供该增层电路与该端子间的电性连接。