发明名称 | 一种采用冶金法降低金属硅中硼杂质含量的方法 | ||
摘要 | 一种采用冶金法降低金属硅中硼杂质含量的方法,将碳酸钙粉与二氧化硅粉进行混合得造渣剂,将造渣剂与金属硅粉进行混合,加入0.1%~10%H2O2搅拌均匀,自然冷却干燥,加入至陶瓷坩埚容积的1/3处,启动由中频等离子加热器和中频感应线圈组成的加热装置,使混合物料熔化,加入金属硅粉,金属硅粉熔化,关闭中频等离子加热器,增加中频感应线圈的频率,继续加热,使金属硅粉完全熔化为金属硅液;反复将带有冷却系统的石英棒浸入金属硅液中转动除渣相,去除硅液中的渣相。该方法操作步骤简单,对设备要求不高,且不易引入杂质且不会造成硅浪费,生产成本低;提纯硅中的硼含量在0.2ppm以下,符合太阳能级多晶硅的要求。 | ||
申请公布号 | CN102627394A | 申请公布日期 | 2012.08.08 |
申请号 | CN201210095413.3 | 申请日期 | 2012.04.02 |
申请人 | 锦州新世纪多晶硅材料有限公司 | 发明人 | 张海霞;车永军;刘冬梅 |
分类号 | C03B33/037(2006.01)I | 主分类号 | C03B33/037(2006.01)I |
代理机构 | 锦州辽西专利事务所 21225 | 代理人 | 李辉 |
主权项 | 一种采用冶金法降低金属硅中硼杂质含量的方法,其特征在于,具体步骤是:1.1将质量比为1:0.5~1:5的碳酸钙粉与二氧化硅粉进行混合,得造渣剂;1.2将质量比为1:0.5~1:2.5的造渣剂与金属硅粉进行混合,加入浓度为0.1%~10% H2O2搅拌均匀,其中,造渣剂与加入的H2O2的质量体积比为1:2~1:5g/ml,自然冷却干燥,得混合物料;1.3将混合物料加入至陶瓷坩埚容积的1/3处,启动由中频等离子加热器和中频感应线圈组成的加热装置,在55KHz~65 KHz频率下,使混合物料熔化,然后加入金属硅粉填满陶瓷坩埚,金属硅粉熔化后反复补充金属硅粉,直至熔化后的金属硅粉填满陶瓷坩埚,关闭中频等离子加热器,增加中频感应线圈的频率至75KHz~85 KHz,继续加热,使金属硅粉完全熔化为金属硅液,并继续熔炼5min~40min;1.4将带有冷却系统的石英棒浸入金属硅液中,以30转/min~200转/min的速度转动, 渣相附着于石英棒上,转动2min~15min后,将石英棒提出,轻敲石英棒,渣相自动脱落;1.5反复将石英棒浸入金属硅液中转动除渣相2次~5次,去除硅液中的渣相。 | ||
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