| 主权项 |
一种用以制造一存储单元阵列的方法，其特征在于，包括：形成一分离层于一衬底上，该衬底具有一由多个接点组成的接点阵列；形成一图案化层于位于该接点阵列上方的该分离层之上，该图案化层所包括的材料具有与该分离层不同的刻蚀特性；形成一牺牲层于该图案化层之上；利用一图案化工艺形成一掩膜开口阵列于位于该接点阵列上方的该图案化层中，其中该掩膜开口阵列中的多个掩膜开口(68)的宽度是变化于一第一范围内，该第一范围具有一第一变化量；其中，在该牺牲层中形成多个上开口部分，以及在该图案化层中形成多个下开口部分，该上开口部分与下开口部分分别具有一第一宽度与一第二宽度，每个掩膜开口包括所述上开口和下开口，该牺牲层具有悬凸部位延伸进入该多个掩膜开口(68)中使得该第一宽度小于该第二宽度；在该下开口部分形成空洞的工艺，通过沉积一填充材料于该掩膜开口阵列的该多个掩膜开口中，在该多个掩膜开口中形成多个空洞，该多个空洞的宽度由悬凸尺寸(76)所控制，且由上方开口段73U和下方开口段73L的沉积速率而改变，与形成此开口的光刻工艺无关；利用一刻蚀工艺形成多个刻蚀掩膜(77a)于该掩膜开口阵列中的该多个掩膜开口内以定义多个刻蚀掩膜开口于该多个掩膜开口内，其中该多个刻蚀掩膜开口的宽度变化于一第二范围内，该第二范围具有一第二变化量，且其中该第二变化量小于该第一变化量，其中，非等向性地刻蚀该填充材料以打开该多个空洞，并继续非等向性刻蚀该填充材料以将与所述接点阵列的多个接点对应的多个分离层区域外露，该多个分离层区域的宽度等于该多个空洞的宽度，并且将刻蚀停止于该分离层之上或之中，留下填充材料侧壁子于该多个下开口部分的两侧以定义该多个刻蚀掩膜；利用该多个刻蚀掩膜而刻蚀穿过该分离层，以定义一具有多个电极开口的电极开口阵列(80)，以裸露该接点阵列 中的对应的该多个接点；沉积电极材料于该多个电极开口中，以形成一具有多个底电极的底电极阵列，该底电极阵列与该接点阵列中所对应的该多个接点连接；形成多个存储元件于该底电极阵列中的该多个底电极之上并且与该多个底电极连接，该多个存储元件包括可编程电阻材料和顶电极材料；以及形成多个顶接点，该多个顶接点被连接至该多个存储元件。 |
