| 发明名称 | 新型衬底屏蔽层的片上变压器结构 | ||
| 摘要 | 本实用新型涉及一种新型衬底屏蔽层的片上变压器结构。本实用新型包括片上变压器，在片上变压器的正下方设置有多层衬底屏蔽层；所述的衬底屏蔽层由矩形金属条和多根形状相同的金属栅条组成，所述的金属栅条与矩形金属条垂直设置，金属栅条之间等间距平行设置。本实用新型的新型衬底屏蔽层的片上变压器结构能实现更好的衬底隔离，减小衬底损耗，并且通过多个衬底屏蔽层能实现电容功能。 | ||
| 申请公布号 | CN202373582U | 申请公布日期 | 2012.08.08 |
| 申请号 | CN201120551617.4 | 申请日期 | 2011.12.27 |
| 申请人 | 杭州电子科技大学 | 发明人 | 文进才;孙玲玲;章南;苏国东 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H01F30/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州求是专利事务所有限公司 33200 | 代理人 | 杜军 |
| 主权项 | 新型衬底屏蔽层的片上变压器结构，其特征在于：包括片上变压器，在片上变压器的正下方设置有多层衬底屏蔽层；所述的衬底屏蔽层由矩形金属条和多根形状相同的金属栅条组成，所述的金属栅条与矩形金属条垂直设置，金属栅条之间等间距平行设置。 | ||
| 地址 | 310018 浙江省杭州市下沙高教园区2号大街 | ||