| 发明名称 | 用于在沟槽内形成电介质层的方法 | ||
| 摘要 | 一种形成半导体结构的方法，其包括在大约150℃或更低的处理温度下使硅前体和原子氧前体反应，以便在基板之上形成氧化硅层。在含氧环境内紫外线(UV)固化该氧化硅层。 | ||
| 申请公布号 | CN101419914B | 申请公布日期 | 2012.08.08 |
| 申请号 | CN200810171154.1 | 申请日期 | 2008.10.22 |
| 申请人 | 应用材料公司 | 发明人 | 梁静美 |
| 分类号 | H01L21/31(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/31(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人 | 徐金国 |
| 主权项 | 一种用于形成半导体结构的方法，该方法包括：在150℃或更低的处理温度下使硅前体和原子氧前体反应，以在基板之上形成氧化硅层；以及在含臭氧环境内UV‑O3固化所述氧化硅层，其中所述UV‑O3固化所述氧化硅层的处理温度在20℃至650℃之间，所述UV‑O3固化所述氧化硅层的处理时间在1分钟至10分钟之间，并且所述UV‑O3固化所述氧化硅层的UV波长在200nm至450nm之间。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||