| 发明名称 | Ⅲ族氮化物半导体晶体基板和半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种III族氮化物半导体晶体基板和半导体器件，该III族氮化物半导体晶体基板具有至少25mm且不大于160mm的直径。该III族氮化物半导体晶体基板的电阻率为至少1×10-4Ω·cm且不大于0.1Ω·cm。该III族氮化物半导体晶体沿直径方向的电阻率分布为至少-30％且不大于30％。该III族氮化物半导体晶体沿厚度方向的电阻率分布为至少-16％且不大于16％。 | ||
| 申请公布号 | CN101442030B | 申请公布日期 | 2012.08.08 |
| 申请号 | CN200810177769.5 | 申请日期 | 2008.11.20 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 冈久拓司;川濑智博;上村智喜;西冈志行;荒川聪 |
| 分类号 | H01L23/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 王海川;穆德骏 |
| 主权项 | 一种III族氮化物半导体晶体基板，其具有至少25mm且不大于160mm的直径，其中，电阻率为至少1×10‑4Ω·cm且不大于0.1Ω·cm，沿直径方向的电阻率分布为至少‑30％且不大于30％，沿厚度方向的电阻率分布为至少‑16％且不大于16％。 | ||
| 地址 | 日本大阪府大阪市 | ||