| 发明名称 | 用于硫属化物光伏应用的低熔点溅射靶及其制造方法 | ||
| 摘要 | 在本发明一个示例性的实施方式中，描述了一种用于沉积半导体性硫属元素化物膜的溅射靶结构。所述溅射靶包括：靶体，其具有包含Cu1-x(Se1-y-zSyTez)x的靶体组合物，其中：x值大于或等于约0.5；y值在约0到约1之间；z值在约0到约1之间；并且所述靶体组合物中Se、S和Te相的总量小于所述靶体组合物的50体积％。 | ||
| 申请公布号 | CN102630254A | 申请公布日期 | 2012.08.08 |
| 申请号 | CN201080053733.1 | 申请日期 | 2010.11.24 |
| 申请人 | AQT太阳能公司 | 发明人 | 迈克尔·巴塞洛缪兹;布赖恩·约瑟夫·巴塞洛缪兹;马里安娜·穆特安祐;伊洛·戈特 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C23C14/14(2006.01)I;B22F3/115(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 李剑 |
| 主权项 | 一种用于沉积半导体性硫属元素化物膜的溅射靶结构体，其包括：靶体，其具有包含Cu1‑x(Se1‑y‑zSyTez)x的靶体组合物，其中：x的值大于或等于约0.5；y的值在约0到约1之间，并包括0和1；z的值在约0到约1之间，并包括0和1；并且所述靶体组合物中Se、S和Te相的总量小于所述靶体组合物的50体积％。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||