发明名称 用于形成薄膜密封层的工艺
摘要 公开了一种工艺,用于通过在要被密封的OLED器件上淀积薄膜材料来生成用于OLED器件的薄膜密封封装,包括沿着基本上平行伸长的输出口同时引导一系列气流,其中所述一系列气流按顺序包括至少第一反应气体材料、惰性净化气体和第二反应气体材料,可选地重复多次,其中所述第一反应气体材料能够与用所述第二反应气体材料处理过的衬底表面反应以形成密封薄膜,其中所述第一反应气体材料是挥发性有机金属前体化合物。基本上在大气压或高于大气压下实施所述工艺,并且  在淀积期间所述衬底的温度在250℃以下。
申请公布号 CN101809188B 申请公布日期 2012.08.08
申请号 CN200880108974.4 申请日期 2008.09.17
申请人 伊斯曼柯达公司 发明人 E·A·费多洛夫斯卡亚;M·L·博罗森;D·H·李维;J·A·阿戈斯蒂内利
分类号 C23C16/40(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I;H01L51/52(2006.01)I 主分类号 C23C16/40(2006.01)I
代理机构 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 代理人 赵蓉民
主权项 一种通过将薄膜材料原子层淀积在要被密封的OLED器件上来生成用于OLED器件的薄膜密封封装的工艺,该工艺包括沿着基本平行伸长的输出口同时引导一系列气流,使得所述气流基本平行于所述器件的表面并且彼此基本平行,其中所述气流基本被阻止在相邻伸长的通道的方向上流动,其中所述一系列气流按顺序至少包括第一反应气体材料、惰性净化气体和第二反应气体材料,可选地重复多次,其中所述第一反应气体材料能够与用所述第二反应气体材料处理过的衬底反应以形成密封薄膜,其中所述第一反应气体材料是挥发性有机金属前体化合物,其中基本上在大气压或高于大气压下实施所述工艺,以及其中在淀积期间所述衬底的温度在250℃以下。
地址 美国纽约