“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法

摘要

一种“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：对该衬底进行脱氧除气处理并观察表面再构；步骤3：在该衬底上依次生长缓冲层、10个周期的“W”结构二类量子阱有源区和GaSb盖层。

主权项

一种“W”型锑化物二类量子阱的外延生长方法，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：对该衬底进行脱氧除气处理并观察表面再构；步骤3：在该衬底上依次生长缓冲层、10个周期的“W”结构二类量子阱有源区和GaSb盖层；其中该10个周期的“W”结构二类量子阱有源区的每个周期包括：一Al0.35Ga0.658b垒层，在Al0.35Ga0.65Sb垒层上依次生长有Inas电子阱层、InSb过渡层、空穴阱层、InSb过渡层、InAs电子阱层和Al0.35Ga0.65Sb垒层，该InSb过渡层和InSb过渡层形成InSb界面，同时抑制GaAs界面的产生。