TFT阵列基板的制造方法、TFT阵列基板及显示器件

摘要

本发明提供一种TFT阵列基板的制造方法、TFT阵列基板及显示器件，该制造方法包括：步骤1、在基板上沉积栅金属层，在栅金属层上通过光刻工艺形成栅电极和栅极扫描线；步骤2、在经过步骤1处理的基板上，依次沉积栅极绝缘层和半导体层；步骤3、在经过步骤2处理的基板上，沉积像素电极导电层、源电极层和漏电极层，在源电极层、漏电极层和像素电极导电层上分别通过光刻工艺形成源电极、漏电极、数据扫描线和像素电极；步骤4、在经过步骤3处理的基板上，通过光刻工艺分别形成R像素、B像素和G像素。通过光刻工艺将R像素、G像素、B像素直接设置在TFT阵列基板上，可有效提高TFT-LCD的开口率，增加TFT-LCD的亮度。

主权项

一种TFT阵列基板的制造方法，其特征在于，包括：步骤1、在基板上沉积栅金属层，在所述栅金属层上通过光刻工艺形成栅电极和栅极扫描线；步骤2、在经过所述步骤1处理的所述基板上，依次沉积栅极绝缘层和半导体层，所述半导体层通过光刻工艺形成半导体层图案；步骤3、在经过所述步骤2处理的所述基板上，沉积像素电极导电层、源电极层和漏电极层，在所述源电极层、所述漏电极层和所述像素电极导电层上分别通过光刻工艺形成源电极、漏电极、数据扫描线和像素电极；步骤4、在经过所述步骤3处理的所述基板上，通过光刻工艺分别形成R像素、B像素和G像素。