电容器制作方法

摘要

一种电容器制作方法，包括：提供层间介质层以及贯穿所述层间介质层的互连结构；在所述层间介质层上依次沉积刻蚀阻挡层，第一绝缘层；对所述的第一绝缘层表面进行磷离子注入，形成磷掺杂的中间绝缘层；在磷掺杂的中间绝缘层上形成第二绝缘层；依次刻蚀所述第二绝缘层，磷掺杂的中间绝缘层，第一绝缘层形成沟槽；刻蚀所述沟槽，使沟槽宽度增加，并使沟槽底部宽度接近沟槽顶部的宽度；去除所述刻蚀阻挡层；在所述沟槽内壁依次沉积掺杂多晶硅层和非掺杂多晶硅层；进行高温退火；在所述沟槽内壁形成位于非掺杂多晶硅层上的半球状多晶硅颗粒；依次沉积介电层，上电极。所述方法避免电容器上电极和下电极发生短接或者形成填充缺陷。

主权项

一种电容器制作方法，包括：提供层间介质层以及贯穿所述层间介质层的互连结构；在所述层间介质层上依次沉积刻蚀阻挡层，第一绝缘层，对所述的第一绝缘层表面进行磷离子注入，形成磷掺杂的中间绝缘层；在磷掺杂的中间绝缘层上形成第二绝缘层；依次刻蚀所述第二绝缘层，磷掺杂的中间绝缘层，第一绝缘层形成沟槽，所述沟槽的位置与所述互连结构的位置对应；刻蚀所述沟槽，使沟槽宽度增加，并使沟槽底部宽度接近沟槽顶部的宽度；去除所述刻蚀阻挡层；在所述沟槽内壁依次沉积掺杂多晶硅层和非掺杂多晶硅层；进行高温退火；在所述沟槽内壁形成位于非掺杂多晶硅层上的半球状多晶硅颗粒；沉积覆盖所述非掺杂多晶硅层以及半球状多晶硅颗粒的介电层；沉积覆盖所述介电层的上电极。