半导体器件的制造方法

摘要

本发明提供了一种半导体器件制造方法。为了提供能够防止Cu布线的腐蚀并且借此提高半导体器件的产率的技术，一种半导体器件的制造方法包括以下步骤：通过使用抛光浆的CMP移除Cu膜在半导体衬底中的布线沟槽以外的部分；通过使用包含抗腐蚀剂的抛光浆的CMP来移除阻挡金属膜在布线沟槽以外的部分；通过使用纯净水的CMP来抛光Cu膜的表面和阻挡金属膜的表面；此后利用纯净水清洁半导体衬底而不向其应用抗腐蚀剂或者不利用化学液体来清洁该半导体衬底；以及此后利用化学液体清洁该半导体衬底而不向其应用抗腐蚀剂。

主权项

一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：(a)在半导体衬底的主表面之上的绝缘膜中形成布线沟槽；(b)在所述半导体衬底的主表面之上形成阻挡金属膜，以便不填充其中的所述布线沟槽，并且在所述阻挡金属膜之上形成铜膜，以便填充其中的所述布线沟槽；(c)通过使用第一抛光浆的CMP抛光所述铜膜，以移除所述铜膜在所述布线沟槽之外的部分；(d)在步骤(c)之后，通过使用包含抗腐蚀剂的第二抛光浆的CMP来抛光所述阻挡金属膜，以移除所述阻挡金属膜在所述布线沟槽之外的部分；(e)在步骤(d)之后，通过使用纯净水的CMP来抛光所述铜膜的表面和所述阻挡金属膜的表面；(f)在步骤(e)之后，在向所述半导体衬底供应纯净水的同时清洁所述半导体衬底；以及(g)在步骤(f)之后，在向所述半导体衬底供应化学液体的同时清洁所述半导体衬底，其中在步骤(e)和步骤(f)之间，既不执行向所述半导体衬底的所述主表面上应用抗腐蚀剂，也不执行利用化学液体清洁所述半导体衬底，以及其中，在步骤(f)和步骤(g)之间，不执行向所述半导体衬底的所述主表面上应用抗腐蚀剂。