发明名称 物理气相沉积靶
摘要 本发明包括一种形成金属体的方法。制备具有原始厚度的金属材料锭,对该金属锭进行热锻压。对热锻压后的产品进行淬火,使金属材料的平均晶粒尺寸固定在小于250微米。淬火后的材料用于形成三维物理气相沉积靶。本发明还包括一种形成铸锭的方法。在一特定方面,该铸锭是高纯度铜材料。本发明还包括物理气相沉积靶和磁控管等离子溅射反应器组件。
申请公布号 CN101109068B 申请公布日期 2012.08.08
申请号 CN200710102670.4 申请日期 2001.10.09
申请人 霍尼韦尔国际公司 发明人 C·T·吴;W·易;F·B·希登
分类号 C23C14/34(2006.01)I;C23C14/06(2006.01)I;C23C14/54(2006.01)I 主分类号 C23C14/34(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 杨松龄
主权项 一种物理气相沉积靶,包括:成型体,所述成型体包括至少一个杯状体,其具有第一端和与所述第一端相对的第二端,所述第一端具有延伸到里面的开口,所述杯状体有中空部分,所述中空部分从所述第一端的所述开口朝所述第二端延伸,所述杯状体具有形成所述中空部分周边的内表面,所述成型体包括围绕所述杯状体外面延伸并与所述内表面相对的外表面,所述外表面包括围绕带圆整角部的所述第二端至少一部分的区域,所述圆整角部的曲率半径至少为大约1英寸,其中所述圆整角部的曲率半径和几何比例被选择成能够减少或消除磁通量的差别;和溅射表面,所述溅射表面沿所述杯状体的内表面形成。
地址 美国新泽西州