发明名称 光信息记录介质及其记录和/或再现方法
摘要 通过在基板10上顺序地层叠反射层11、保护层12、记录层13、保护层14、以及透光保护层13来构造光信息记录介质1。可以采用包含ZnS、SiO2和Sb作为主要成分的记录层,或优选地由组成化学式[(ZnS)x(SiO2)1-x]y(SbzX1-z)1-y(其中满足0<x≤1.0,0.3≤y≤0.7且0.8<z≤1.0,X表示选自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的组中的至少一种元素)表示的记录层作为记录层13。
申请公布号 CN101541553B 申请公布日期 2012.08.08
申请号 CN200880000345.X 申请日期 2008.02.19
申请人 索尼株式会社 发明人 宫胁真奈美;黑田裕儿
分类号 B41M5/26(2006.01)I;G11B7/24(2006.01)I;G11B7/243(2006.01)I 主分类号 B41M5/26(2006.01)I
代理机构 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人 秦晨
主权项 一种光信息记录介质,其特征在于,所述光信息记录介质包括包含ZnS、SiO2和Sb作为主成分的记录层;所述记录层包含选自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的组中的至少一种元素;以及所述记录层具有满足下面公式(1)的组成:[(ZnS)x(SiO2)1‑x]y(SbzX1‑z)1‑y  (1)其中满足0<x≤1.0,0.3≤y≤0.7,以及0.8<z≤1.0,X表示选自Ga、Te、V、Si、Zn、Ta和Tb的组的至少一种元素。
地址 日本东京