发明名称 |
一种半导体测试结构 |
摘要 |
本发明公开了一种半导体测试结构,用于区分SRAM阵列中漏电流的来源,所述SRAM阵列包括多个SRAM单元,每个SRAM单元包括4个NMOS管和2个PMOS管,所述半导体测试结构包括:第一结构,其在衬底上形成有大面积的有源区;第二结构,其在衬底上形成有所述SRAM阵列的所述NMOS管和所述PMOS管的有源区;第三结构,其在第二结构的基础上形成有金属硅化物层;第四结构,其在第三结构的基础上对应于所述SRAM阵列的所述NMOS管和所述PMOS管的源极和漏极区域形成有接触孔;以及第五结构,其在第四结构的基础上形成有所述SRAM阵列的所述NMOS管和所述PMOS管的栅极多晶硅层;其中,所述第一至第五结构形成于同一晶圆上。 |
申请公布号 |
CN101697351B |
申请公布日期 |
2012.08.08 |
申请号 |
CN200910196451.6 |
申请日期 |
2009.09.25 |
申请人 |
上海宏力半导体制造有限公司 |
发明人 |
胡剑 |
分类号 |
H01L27/11(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/11(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种半导体测试结构,其特征在于,用于区分SRAM阵列中漏电流的来源,所述SRAM阵列包括多个SRAM单元,每个SRAM单元包括4个NMOS管和2个PMOS管,所述半导体测试结构包括:第一结构,其在衬底上形成有大面积的有源区;第二结构,其在衬底上形成有所述SRAM阵列的所述NMOS管和所述PMOS管的有源区;第三结构,其在第二结构的基础上形成有金属硅化物层;第四结构,其在第三结构的基础上对应于所述SRAM阵列的所述NMOS管和所述PMOS管的源极和漏极区域形成有接触孔;以及第五结构,其在第四结构的基础上形成有所述SRAM阵列的所述NMOS管和所述PMOS管的栅极多晶硅层;其中,所述第一至第五结构形成于同一晶圆上;所述第一至第五结构各自在四周形成有虚拟结构。 |
地址 |
201203 上海市张江高科技圆区郭守敬路818号 |