发明名称 HIGH-K TRANSISTORS WITH LOW THRESHOLD VOLTAGE
摘要 A semiconductor structure includes a high-k dielectric layer over a semiconductor substrate; and a gate layer over the high-k dielectric layer, wherein the gate layer has a negative electrical bias during anneal.
申请公布号 US2012193716(A1) 申请公布日期 2012.08.02
申请号 US201213442087 申请日期 2012.04.09
申请人 FRANK MARTIN M.;INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 FRANK MARTIN M.
分类号 H01L29/772 主分类号 H01L29/772
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利