摘要 |
Einbezogen sind: eine schaltungsspezifische Leiterplatte, um als Leiterplatte ausgebildet zu sein, die eine Stromversorgungsspannung erzeugt; eine erste Diode, die antiparallel mit dem Transistor verbeinen Pfad konfiguriert ist, um den Transistor zu umgehen; eine zweite Diode, die in Reihe mit dem Transistor verbunden ist und einen Stromfluss durch eine parasitäre Diode zu verhindern, die auf dem Transistor ausgebildet ist; eine Schutzschaltung, die parallel mit der zweiten Diode verbunden ist, um die zweite Diode vor einem Hochspannungsbreakdown zu schützen, und auf einem Substrat ausgebildet ist, das sich von der schaltungsspezifischen Leiterplatte unterscheidet; und eine Kühleinheit, die mit der Schutzschaltung außerhalb der schaltungsspezifischen Leiterplatte verbunden ist und die Schutzschaltung kühlt.
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申请人 |
MITSUBISHI ELECTRIC CORP. |
发明人 |
KIDOKORO, HITOSHI;KOSHIMAE, TOSHIKI;MATSUBARA, MASATO;SUZUKI, AKIHIRO;KURUSHIMA, HIROSHI |