Vertikales Speicherbauelement

摘要

Die Erfindung bezieht sich auf ein vertikales Speicherbauelement insbesondere ein vertikales nicht-flüchtiges Speicherbauelement. Ein vertikales Speicherbauelement gemäß der Erfindung beinhaltet ein Substrat (100), eine Dummy-Struktur (110), die auf dem Substrat nahe einer Kante eines Zellenfeldbereichs angeordnet ist, sowie eine Mehrzahl von vertikal gestapelten leitfähigen Leitungen (150) auf dem Substrat, welche die Dummy-Struktur bedeckt und an einer Kreuzung mit der Dummy-Struktur eine Oberflachenvariation (S) aufweist, die eine Position der Barunterliegenden Dummy-Struktur anzeigt. Verwendung in der Halbleiterspeichertechnologie.