发明名称 Verfahren zur Herstellung von Einkristallen
摘要 Die vorliegende Erfindung ist ein Verfahren zur Herstellung von Einkristallen auf der Basis des Czochralski-Verfahrens, welches wenigstens die folgenden Schritte umfasst: das Erzeugen einer Schmelze durch das Erwärmen und Schmelzen eines kristallinen Rohmaterials in einem Tiegel mit einem Heizgerät; das Reifen lassen der Schmelze durch ein Halten der Schmelze bei einer hohen Temperatur; das Züchten eines Einkristalls nach dem Eintauchen eines Impfkristalls in die gereifte Schmelze, wobei das Heizgerät und der Tiegel bei dem Schritt der Reifung relativ auf und ab bewegt werden. Als ein Ergebnis wird ein Verfahren zur Herstellung von Einkristallen bereit gestellt, das insbesondere in dem Fall des Ziehens eines Einkristalls mit einem großen Durchmesser ermöglicht, dass bei der Herstellung des Einkristalls die Erzeugung einer Versetzung effektiv unterdrückt wird und ein Einkristall mit hoher Qualität in guter Ausbeute hergestellt wird.
申请公布号 DE112009004496(T5) 申请公布日期 2012.08.02
申请号 DE200911004496T 申请日期 2009.11.27
申请人 SHIN-ETSU HANDOTAI CO., LTD. 发明人 MATSUZAWA, KAZUO;IIDA, MAKOTO
分类号 C30B15/22 主分类号 C30B15/22
代理机构 代理人
主权项
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