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Halbleiterbauelement, wobei das Halbleiterbauelement (1) umfasst: – einen Halbleiterkörper (4) mit: – einer ersten Elektrode (5), – einer zweiten Elektrode (7), – einer lateralen Driftstrecke (9) zwischen der ersten und der zweiten Elektrode (5, 7), wobei in die Driftstrecke (9) isolierte nebeneinander angeordnete Feldplatten (F1) lateral ausgerichtet vertikal hineinragen, – floatende komplementär zur Driftstrecke (9) dotierte Gebiete (10), die mit den Feldplatten (F1) elektrisch verbunden sind, wobei die Feldplatten mit einer Feldplatten-Spannungsbegrenzungsstruktur (3), die die Spannung an den Feldplatten im Sperrbetrieb begrenzt, gekoppelt sind.
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