| 摘要 |
<p>Es wird ein Verfahren für eine intrinsische mikrokristalline Siliziumschicht bereit gestellt. In einer Ausführungsform wird die mikrokristalline Siliziumschicht hergestellt durch Einbringen eines Substrats in eine Prozesskammer, Zuführen eines Gasgemisches in die Prozesskammer, Anwenden einer HF-Leistung in einer ersten Betriebsart auf das Gasgemisch, Pulsen des Gasgemisches in die Prozesskammer und Anwenden der HF-Leistung in einer zweiten Betriebsart auf das gepulste Gasgemisch.</p> |
