| 摘要 |
一种内嵌电极之多阶沟渠式电场屏护功率金氧半场效电晶体(MOSFET)结构，其系由复数单位晶胞(Unit cell)所组成，且在每一单位晶胞中的各沟渠式(trench)结构下，又进一步提供具有电场屏护的复数多阶沟渠(multi-step trench)结构，用以形成可提供高崩溃电压与低漏电流的一种高可靠性元件。其中，该等单位晶胞之任其一者的结构包含基板、磊晶层、具有复数多阶闸极沟渠之闸极沟渠单元、具有复数多阶源极沟渠之源极沟渠单元、第一屏护井区、第二屏护井区、基体接面、源极接面与绝缘层。其中，该等多阶闸(或源)极沟渠的宽度系分别地窄于或等于该第一闸(或源)极沟渠的宽度。故藉由本新型可用以降低漏电流及加强雪崩能量的耐受度。 |
