发明名称 半导体装置之内部电压产生电路及其方法
摘要 本发明揭示一种半导体装置之一内部电压产生电路,其包括一第一电压驱动器,其经组态以在一内部电压端子之一位准低于一目标位准之一周期期间上拉该内部电压端子;及一第二电压驱动器,其经组态以在对应于一外部时脉之一频率之各周期中之一预定时间内上拉该内部电压端子。
申请公布号 TWI369842 申请公布日期 2012.08.01
申请号 TW097125827 申请日期 2008.07.09
申请人 海力士半导体股份有限公司 南韩 发明人 都昌镐
分类号 H02M3/07;G11C11/4074 主分类号 H02M3/07
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项
地址 南韩