| 摘要 |
在实行遮罩处理以后，在光阻图案之侧边与顶部上形成间隔物，使得前述间隔物可被使用来作为蚀刻遮罩。在实行前述遮罩处理以后，以75~220℃，使用聚合物沉积层来形成前述间隔物，该聚合物沈积层系一种可沈积在前述光阻图案之侧边及顶部之上的低温氧化物或氮化物。一种半导体元件之制造方法，该方法包括：在蚀刻目标层上方形成底部抗反射涂布膜；对形成于前述底部抗反射涂布膜上方的光阻层进行图案化；在被图案化之光阻层以及前述底部抗反射涂布膜上方形成绝缘层；对前述绝缘层进行回蚀，藉以在前述被图案化之光阻层的侧壁上形成间隔物；以及蚀刻前述底部抗反射涂布膜及由前述间隔物所露出之前述蚀刻目标层，藉以形成精细图案。 |
