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发明名称
形成半导体元件之微细图案之方法
摘要
一种用以制造半导体元件之方法,包含:于基板上方形成目标蚀刻层、于该目标蚀刻层上方形成第一辅助层、于该第一辅助层上方形成隔离层、及于该隔离层上方形成第二辅助层。执行其中对该第一辅助层对焦及对该第二辅助层失焦之第一曝光制程。执行其中对该第二辅助层对焦及对该第一辅助层失焦之第二曝光制程。对该第二辅助层显影以形成多个第一遮罩图案。藉由使用该等第一遮罩图案,蚀刻该隔离层及该第一辅助层,以形成多个第二遮罩图案。对该等第二遮罩图案显影,以形成多个第三遮罩图案,其用以助于随后目标蚀刻层的蚀刻。
申请公布号
TWI369718
申请公布日期
2012.08.01
申请号
TW097101485
申请日期
2008.01.15
申请人
海力士半导体股份有限公司 南韩
发明人
郑宇荣;辛容撤
分类号
H01L21/027
主分类号
H01L21/027
代理机构
代理人
何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;丁国隆 台北市大安区敦化南路2段77号8楼
主权项
地址
南韩
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