非晶形氧化物半导体，半导体装置，及薄膜电晶体

摘要

一种非晶形氧化物半导体，包含至少一选自In、Ga、及Zn的元素，并具有InxGayZnz的原子比例，其中，该非晶形氧化物半导体的密度M系藉由关系式(1)表示如下：;M≧0.94×(7.121x＋5.941y＋5.675z)/(x＋y＋z) (1);其中0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、以及x＋y＋z≠0。