发明名称 透明导电膜之形成方法与透明电极
摘要 本发明之课题系提供,在低温烧成,低电阻且具有高透过率之透明导电膜之形成方法及透明电极。;本发明之解决手段系含有选自铟,锡,锑,铝及锌之金属微粒子,该等金属2种以上之金属所成合金之微粒子,或该等微粒子混合物之分散液涂布于基材后,在真空氛围,惰性气体氛围,还原性氛围中烧成,其后,在氧化性氛围中烧成。于此氧化性氛围中烧成后,进而以还原性氛围烧成亦可。惰性气体氛围系选自稀有气体,二氧化碳及氮之气体氛围,还原性氛围系选自氢,一氧化碳及低级醇之气体氛围。藉由上述方法所形成之透明导电膜所成透明电极。
申请公布号 TWI369553 申请公布日期 2012.08.01
申请号 TW093139741 申请日期 2004.12.20
申请人 爱发科股份有限公司 日本 发明人 浮岛祯之;竹井日出夫;石桥晓;厚木勉;小田正明;山口浩史
分类号 G02F1/1343;H01B1/02 主分类号 G02F1/1343
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本
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