发明名称 薄膜电晶体阵列基板及其制造方法
摘要 【课题】本发明的目的在获得一种于源极/汲极电极的界面中,接触特性佳之薄膜电晶体(TFT)阵列基板及其制造方法。;【解决手段】本发明之TFT阵列基板系具有包含欧姆接触膜8、及形成在前述欧姆接触膜8之源极电极9及汲极电极11的TFT108。此外,具有与汲极电极11电性连接的像素电极18。此外,源极电极9及汲极电极11系藉由含有Ni作为添加元素的Al合金所形成。
申请公布号 TWI369564 申请公布日期 2012.08.01
申请号 TW096121151 申请日期 2007.06.12
申请人 三菱电机股份有限公司 日本 发明人 矢野伸一;中堀正树;石贺展昭
分类号 G02F1/1368;H01L29/786 主分类号 G02F1/1368
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项
地址 日本