发明名称 去灰方法及去灰装置
摘要 提供一种去灰方法及去灰装置,对于露出在晶圆上的多孔质Low-K膜,能够防止膜质的劣化,并自晶圆确实地除去阻剂。本发明的去灰装置,系将气体导入电介质电浆产生室14内,激发该气体而产生电浆,再藉由前述气体电浆来对使用了Low-K膜之被处理对象物S进行电浆处理。自气体控制部20被导入的去灰气体,系添加了H2的惰性气体。藉由这些气体的混合气体来生成电浆,再藉由所产生的氢自由基,构成可以除去阻剂。
申请公布号 TWI369735 申请公布日期 2012.08.01
申请号 TW093139188 申请日期 2004.12.16
申请人 芝浦机械电子装置股份有限公司 日本 发明人 山崎克弘
分类号 H01L21/31 主分类号 H01L21/31
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项
地址 日本