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发明名称
应变半导体基板及其制法
摘要
一种利用应变矽(SMOS)基板(20)之积体电路制造方法。该基板(20)利用于基层中之沟槽(36)以诱发层中之应力。该基板可包括矽。该沟槽(36)于主要基板之后侧或绝缘层上覆半导体(semiconductor-on-insulator)晶圆上形成有复数个柱状体(35)。
申请公布号
TWI369737
申请公布日期
2012.08.01
申请号
TW093137307
申请日期
2004.12.03
申请人
格罗方德半导体公司 美国
发明人
潘瑞拉 马立欧M;陈兆成 西门S
分类号
H01L21/316
主分类号
H01L21/316
代理机构
代理人
洪武雄 台北市中正区博爱路35号9楼;陈昭诚 台北市中正区博爱路35号9楼
主权项
地址
美国
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