减少边缘缺陷之晶圆电镀装置

摘要

本发明提供方法、装置及各种装置组件，诸如基底板、唇缘密封件及接触环总成，用于减少该装置中之接触区域的污染。污染可在电镀制程之后自装置中移除半导体晶圆期间发生。在某些实施例中，使用一具有一诸如聚醯胺-醯亚胺(PAI)且有时聚四氟乙烯(PTFE)之疏水性涂层的基底板。另外，可将该接触环总成之接触尖端定位成较远离该唇缘密封件之密封唇缘。在某些实施例中，该接触环总成及/或该唇缘密封件之一部分亦包含疏水性涂层。