| 发明名称 | 氮化硅膜的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种氮化硅膜的形成方法，采用DCS气体与NH3反应生成氮化硅膜，按一预定义时间间隔控制所述DCS气体的通入和中断，即DCS气体呈现一种通断相互交替进行的形式，这种形式可以使得DCS气体充分与NH3反应，同时使得NH3在DCS气体中断时间内可以将残留的DCS气体清理掉，防止了残留DCS气体形成颗粒状物质堆积，提高了氮化硅膜的质量和产品的良率。 | ||
| 申请公布号 | CN102618842A | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
| 申请号 | CN201210093706.8 | 申请日期 | 2012.03.31 |
| 申请人 | 上海宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 许忠义 |
| 分类号 | C23C16/34(2006.01)I;C23C16/455(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种氮化硅膜的形成方法，其特征在于，采用DCS气体与NH3反应生成氮化硅膜，并控制所述DCS气体按一预定义时间间隔来通入和中断。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号 | ||