| 发明名称 | 发光器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光器件，包括：基板；第一导电半导体层，布置在所述基板上；有源层，布置在所述第一导电半导体层上；以及第二导电半导体层，布置在所述有源层上，其中所述第一导电半导体层包括在上表面处设置有凹口的第一层、布置在所述第一层上的第二层、以及布置在所述第二层上的第三层，其中所述第一导电半导体层还包括位于所述第一层与所述第二层之间的阻挡层，并且所述阻挡层沿所述凹口布置。该发光器件能够降低通过位错引起的漏电流并提高对静电的耐抗性。 | ||
| 申请公布号 | CN102623594A | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
| 申请号 | CN201210021444.4 | 申请日期 | 2012.01.21 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 丁钟弼;李祥炫;沈世焕;丁声而 |
| 分类号 | H01L33/02(2010.01)I;H01L33/14(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/02(2010.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 张浴月;郑小军 |
| 主权项 | 一种发光器件，包括：基板；第一导电半导体层，布置在所述基板上；有源层，布置在所述第一导电半导体层上；以及第二导电半导体层，布置在所述有源层上；其中所述第一导电半导体层包括在上表面处设置有凹口的第一层、布置在所述第一层上的第二层、以及布置在所述第二层上的第三层；其中所述第一导电半导体层还包括位于所述第一层与所述第二层之间的阻挡层，并且所述阻挡层沿所述凹口布置。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||