一维ZnO/SnO₂核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法

摘要

本发明公开了一种一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法。该方法采用热蒸发法在一维ZnO纳米材料上包覆SnO2制备一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料。该方法重复性高、可控性强、环境友好，且SnO2包覆均匀。制备出的ZnO/SnO2一维核壳结构纳米异质结材料在太阳能电池、气体传感器以及光催化等领域中具有广泛的研究价值和应用前景。

主权项

一种一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料的制备方法，其特征在于，采用热蒸发法在一维ZnO纳米材料上包覆SnO2制备一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料，具体包括以下步骤：1) 取SnO粉末放入陶瓷舟中，然后将其放在管式炉的高温加热区，所述SnO粉的纯度不低于99.90%； 2) 将载有一维ZnO纳米材料的衬底放在管式炉的低温沉积区；3) 打开机械泵，待炉内压强降至0.1 Pa时，将10~100 sccm的气体通入管式炉中，控制其压强在50~500 Pa，其中，所述气体中含有体积百分含量为90%~100%的不活泼气体和0~10%的氢气； 4) 将管式炉高温区升至800~1050℃，升温速度为15~25℃/min；低温区升至550~650℃，升温速度为15~25℃/min，反应时间为0.5~2小时； 5) 反应结束，衬底上得到了一维ZnO/SnO2核壳结构纳米异质结半导体材料。