高可靠SOI LDMOS功率器件

摘要

公开了一种高可靠SOI LDMOS功率器件，包括：在SOI LDMOS功率器件的顶层硅中，注入有高浓度的埋层和接触注入区，且埋层与接触注入区连接；通过所述埋层可充分抽取SOI LDMOS功率器件中SOI LDMOS栅附近的载流子，并经所述接触注入区引出，控制SOI LDMOS栅附近的电位。本发明提供的高可靠SOI LDMOS功率器件，在SOI LDMOS的顶层硅中，制成高浓度的埋层并通过接触注入区引出，利用此埋层充分抽取SOI LDMOS器件SOI LDMOS栅附近的载流子，控制SOI LDMOS栅附近电位，避免由噪声电流或者碰撞电流引起的寄生晶体管开启而导致的LDMOS器件损伤或烧毁，同时抬升了LDMOS器件在静电冲击下的维持电压，扩展了LDMOS功率器件的电学安全工作区域，增强了器件可靠性。

主权项

一种高可靠SOI LDMOS功率器件，其特征在于，包括：在SOI LDMOS功率器件的顶层硅中，注入有高浓度的埋层和接触注入区，且埋层与接触注入区连接；通过所述埋层可充分抽取SOI LDMOS功率器件中SOI LDMOS栅附近的载流子，并经所述接触注入区引出，控制SOI LDMOS栅附近的电位。