发明名称 |
一种芯片级可焊陶瓷热沉的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种芯片级可焊陶瓷热沉的制备方法,步骤为:A、清洗烘干氧化铝或氮化铝陶瓷基片;B、将步骤A所得到的产品蒸发沉积Ti/Pt/Au过镀层;C、将步骤B所得的产品进行光刻处理,所述的光刻处理包括印刷光刻胶、前烘、曝光、显影、清洗、后烘过程,所述的光刻胶的厚度是2~20μm;D、将步骤C所得的产品进行金锡合金层的镀膜,所述的金锡合金的质量比为1:9至9:1,所述金锡合金层的厚度是2~8μm;E、将步骤D所得的产品进行共晶热处理和去光刻胶处理;F、将步骤E得到的产品进行切割分离,即可得芯片级可焊陶瓷热沉。该陶瓷热沉适用于半导体芯片散热需求,且封装热传导率是现有产品的20到100倍。 |
申请公布号 |
CN102623356A |
申请公布日期 |
2012.08.01 |
申请号 |
CN201110457691.4 |
申请日期 |
2011.12.31 |
申请人 |
广东风华高新科技股份有限公司 |
发明人 |
沓世我;杨丙文;陈国政;王建明;付振晓;李旭杰 |
分类号 |
H01L21/48(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/48(2006.01)I |
代理机构 |
广州粤高专利商标代理有限公司 44102 |
代理人 |
杨利娟 |
主权项 |
一种芯片级可焊氧化铝或氮化铝陶瓷热沉的制备方法,步骤为:A、清洗烘干氧化铝或氮化铝陶瓷基片;B、将步骤A所得到的产品蒸发沉积Ti/Pt/Au过镀层;C、将步骤B所得的产品进行光刻处理,所述的光刻处理包括印刷光刻胶、前烘、曝光、显影、清洗、后烘过程,所述的光刻胶的厚度是2~20μm;D、将步骤C所得的产品进行金锡合金层的镀膜,所述的金锡合金的质量比为1:9至9:1,所述金锡合金层的厚度是2~8μm;E、将步骤D所得的产品进行共晶热处理和去光刻胶处理;F、将步骤E得到的产品进行切割分离,即可得芯片级可焊陶瓷热沉。 |
地址 |
526020 广东省肇庆市风华路18号风华电子工业城 |