一种化学机械研磨的方法

摘要

本发明提供了一种化学机械研磨的方法，包括下列步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有介质层，所述介质层内包含通孔和/或沟槽；在介质层上及通孔和/或沟槽的侧壁和底部形成阻挡层；在阻挡层上形成金属层，且所述金属层填充满通孔和/或沟槽内；对所述金属层进行研磨至露出阻挡层；采用第一研磨液研磨去除部分厚度的阻挡层；采用第二研磨液研磨剩余阻挡层至露出介质层，所述第二研磨液中所含氧化物研磨颗粒的数量及直径小于所述第一研磨液中所含氧化物研磨颗粒的数量及直径。本发明旨在通过上述化学机械研磨方法既可以保证晶圆的研磨速率，同时也可以减少氧化物研磨颗粒对晶圆表面的磨损，从而提高产品的质量和性能。

主权项

一种化学机械研磨的方法，其特征在于，包括下列步骤：提供半导体衬底，所述半导体衬底上具有介质层，所述介质层内包含通孔和/或沟槽；在介质层上及通孔和/或沟槽的侧壁和底部形成阻挡层；在阻挡层上形成金属层，且所述金属层填充满通孔和/或沟槽内；对所述金属层进行研磨至露出阻挡层；采用第一研磨液研磨去除部分厚度的阻挡层；采用第二研磨液研磨剩余阻挡层至露出介质层，所述第二研磨液中所含氧化物研磨颗粒的数量及直径小于所述第一研磨液中所含氧化物研磨颗粒的数量及直径。