具有增强的热辐射性能的薄膜覆晶型半导体封装

摘要

本发明公开了一种具有增强的热辐射性能的薄膜覆晶(COF)型半导体封装，该COF型半导体封装包括绝缘薄膜110、金属图案120和130、表面绝缘层140、半导体晶片200。金属图案由与半导体晶片电气连接的电路图案120以及与电路图案电气绝缘的绝缘图案130构成。绝缘薄膜110形成有热辐射孔150，以允许绝缘图案130的一部分暴露于绝缘薄膜110的底部表面。电路图案120的一部分在绝缘薄膜110上延伸，以构造成为与其它电路图案120相比具有宽表面积的扩展图案。由于从半导体产生的热通过其底部的绝缘图案130排放到基底100的后部内，所以绝缘图案130起到热辐射垫的作用。此外，电路图案120的上述部分构造为利用绝缘薄膜110上的额外空间占据宽区域的扩展图案125，并且扩展图案125通过热辐射孔150暴露于绝缘薄膜110的底部表面，从而通过晶片200的端子与扩展图案125相接触而增强热辐射效果。

主权项

一种COF型半导体封装，包括：使用绝缘薄膜、形成在所述绝缘薄膜上的金属图案、和保护所述金属图案的表面绝缘层顺序层压而成的带互连基底；以及安装在所述带互连基底上的半导体晶片，其中所述金属图案包括与所述半导体晶片电气连接的电路图案，和与所述电路图案电气绝缘的绝缘图案。