| 发明名称 | 一种MOS晶体管的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种MOS晶体管的制造方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有阱区和浅槽隔离结构；在所述半导体衬底的阱区中进行沟道离子注入，并形成沟道注入区；在所述半导体衬底上形成栅极结构；以所述栅极结构为掩膜，在所述半导体衬底中进行袋状区离子注入和轻掺杂源/漏区大角度倾斜离子注入；执行第一次快速退火处理，形成袋状区和轻掺杂源/漏区；在所述栅极结构两侧形成侧墙；以所述栅极结构及侧墙为掩膜，进行源/漏极离子注入，并执行第二次快速退火处理，形成源/漏区。本发明通过LDD大角度倾斜离子注入，形成具有更长的有效沟道的超浅结MOS晶体管，有效抑制HCI效应，显著改善SCE效应，降低结漏电。 | ||
| 申请公布号 | CN102623341A | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
| 申请号 | CN201110030538.3 | 申请日期 | 2011.01.28 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 赵猛 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种MOS晶体管的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有阱区和浅槽隔离结构；在所述半导体衬底的阱区中进行沟道离子注入，并形成沟道注入区；在所述半导体衬底上形成栅极结构；以所述栅极结构为掩膜，在所述半导体衬底中进行袋状区离子注入和轻掺杂源/漏区大角度倾斜离子注入；执行第一次快速退火处理，形成袋状区和轻掺杂源/漏区；在所述栅极结构两侧形成侧墙；以所述栅极结构及侧墙为掩膜，进行源/漏极离子注入，并执行第二次快速退火处理，形成源/漏区。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||