半导体集成电路装置的制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法。在半导体集成电路装置的制造工序中，在组装工序的划片后的芯片的拾取工序中，由于迅速的芯片的薄膜化而使得降低拾取不良成为重要的课题。特别是，因剥离动作造成的芯片周边部的弯曲很有可能导致芯片的破裂、缺损。为了解决这些的课题的本申请发明是在通过吸引吸嘴真空吸附芯片以从划片带(粘接带)等剥离的情况下，通过监视吸引吸嘴的真空吸附系统的流量，来监视芯片从粘接带完全剥离以前的芯片的弯曲状态。

主权项

一种半导体集成电路装置的制造方法，其特征在于，包含下述的工序：(a)将多个芯片向芯片处理装置的芯片拾取部供给的工序；(b)在将上述芯片拾取部的上述多个芯片内的第一芯片的表面真空吸附到吸附吸嘴的橡胶片的下表面的状态下，将上述第一芯片向上述芯片处理装置的芯片键合部移送的工序；(c)在上述工序(b)后，在主要是通过与上述橡胶片的上述下表面之间的物理吸附来保持上述第一芯片的上述表面的状态下，使上述第一芯片的背面侧落到在上述芯片处理装置的上述芯片键合部上所放置的布线基板的上表面的工序；(d)在上述工序(c)后，通过由上述橡胶片的上述下表面对上述第一芯片的上述表面向下方加压，将上述第一芯片经由上述第一芯片的上述背面和上述布线基板的上述上表面之间的粘接部件层而固定在上述布线基板的上述上表面的工序。