| 发明名称 | MgZnO/NPB紫外光探测器及其制作方法 | ||
| 摘要 | MgZnO/NPB紫外光探测器及其制作方法，属于光电子信息领域，涉及一种MgZnO/NPB紫外光探测器，主要用于产生低偏压、高响应的紫外光探测器。解决了无机宽禁带半导体p型掺杂问题和有机电子迁移率低的问题。该探测器是在石英ITO衬底上生长单相MgxZn1-xO薄膜、NPB薄膜、LiF薄膜和电极。其制作方法为：将石英ITO衬底在MBE预生长室中预处理；在MBE生长室中生长温度为400-500℃下，生长厚度为200-350nm的MgxZn1-xO薄膜，其中X＝0.1-0.4；然后传入热蒸发中，在其上生长厚度为50-120nm NPB薄膜；在NPB薄膜上生长厚度为0.5-2nm的LiF电极修饰层；在LiF电极修饰层上制作电极，制作出石英ITO/MgxZn1-xO/NPB/LiF/电极结构的MgZnO/NPB紫外光探测器。 | ||
| 申请公布号 | CN102623543A | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
| 申请号 | CN201210109738.2 | 申请日期 | 2012.04.13 |
| 申请人 | 北京交通大学 | 发明人 | 张希清;胡佐富;刘凤娟;李振军;王永生 |
| 分类号 | H01L31/09(2006.01)I;H01L31/0296(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/09(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市商泰律师事务所 11255 | 代理人 | 李鸿华 |
| 主权项 | 一种MgZnO/NPB紫外光探测器，其特征在于：MgZnO/NPB紫外光探测器是在石英ITO衬底上生长单相MgxZn1‑xO薄膜、NPB薄膜、LiF薄膜和电极。 | ||
| 地址 | 100044 北京市海淀区西直门外上园村3号 | ||