| 发明名称 | 一种二次显影方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种二次显影方法，属于半导体制造的光刻技术领域。该二次显影方法，用于对同一层已曝光的光刻胶进行湿法显影，其包括步骤：(1)在所述光刻胶上第一次涂覆显影液；(2)第一次浸润所述光刻胶以初步显影；(3)基本去除所述光刻胶表面的显影生成物和残余的所述显影液；(4)在所述光刻胶上第二次涂覆显影液；以及(5)第二次浸润所述光刻胶以全部显影。该显影方法成本低、显影效果好的优点，并不会整体增加显影时间。 | ||
| 申请公布号 | CN102621828A | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
| 申请号 | CN201110037171.8 | 申请日期 | 2011.01.27 |
| 申请人 | 无锡华润上华半导体有限公司;无锡华润上华科技有限公司 | 发明人 | 钱志浩;燕丽林 |
| 分类号 | G03F7/30(2006.01)I;G03F7/42(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/30(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李湘;高为 |
| 主权项 | 一种二次显影方法，用于对同一层已曝光的光刻胶进行湿法显影，其特征在于，包括步骤：(1)在所述光刻胶上第一次涂覆显影液；(2)第一次浸润所述光刻胶以初步显影；(3)基本去除所述光刻胶表面的显影生成物和残余的所述显影液；(4)在所述光刻胶上第二次涂覆显影液；以及(5)第二次浸润所述光刻胶以全部显影。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区汉江路5号 | ||