| 发明名称 | 悬空半导体薄膜结构及传感器单元的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种悬空半导体薄膜结构及传感器单元的制造方法，通过对半导体基底的正面执行P型掺杂工艺，形成第一掺杂层，利用第一掺杂层对于腐蚀液，即对于背面腐蚀工艺具有自停止的阻挡作用，使得半导体薄膜结构(悬空基底)的厚度通过掺杂深度精确控制，从而可降低对于腐蚀时间精确控制的依赖，即降低了工艺难度，提高了工艺精确度。 | ||
| 申请公布号 | CN102616732A | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
| 申请号 | CN201210101985.8 | 申请日期 | 2012.04.09 |
| 申请人 | 上海先进半导体制造股份有限公司 | 发明人 | 张挺;薛维佳 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 郑玮 |
| 主权项 | 一种悬空半导体薄膜结构的制造方法，其特征在于，包括：提供半导体基底；对所述半导体基底的正面执行P型掺杂工艺，形成第一掺杂层；在所述半导体基底的正面及背面形成保护层；对所述半导体基底背面采用光刻进行图形化，并采用背面腐蚀工艺，得到悬空的半导体薄膜结构。 | ||
| 地址 | 200233 上海市徐汇区虹漕路385号 | ||