酸法制备太阳电池无死层发射极的工艺

摘要

本发明属于晶体硅太阳电池的制作技术领域，具体涉及一种酸法制备太阳电池无死层发射极的工艺。该发明先采用传统扩散方法制备发射极，通过一定浓度的HNO3和HF溶液，将掺杂浓度较高的死层发射极区腐蚀掉的方法，制备具有优良性能的无死层发射极，此工艺可以有效地去除电池片表面的死层发射极区，提高太阳电池的短波响应，减小暗电流，有效提高电池片的开路电压，并且易于工业化生产。

主权项

一种酸法制备太阳电池无死层发射极的工艺，其特征在于，包括以下步骤： （1）将制绒后的硅片，放入扩散炉，进行扩散结深为150—500nm的发射极，方阻为20—80ohm/sq;（2）将已完成扩散的硅片，放入HNO3和HF溶液中，浸泡1—30min，制备方阻为50—150ohm/sq的发射极；（3）将硅片放入浓度为1—5%KOH溶液中，清洗0.5—5分钟，然后再放入浓度为5—15%的HCl和浓度为2%—10%的HF酸混合溶液中清洗0.5—5分钟。