发明名称 | 一种低相噪高速频率合成装置 | ||
摘要 | 本实用新型公开了一种低相噪高速频率合成装置,包括参考源电路,关键在于:所述参考源电路经过功率分配器分别与DDS频率发生器电路和小数分频锁相环电路连接,DDS频率发生器电路的输出端连接到射频输出电路的射频输入端;小数分频锁相环电路的输出端连接到射频输出电路的本振输入端;射频输出电路的输出端输出所需射频信号。本使用新型合理采用了直接体制频率合成、锁相频率合成的复合体制,有效发挥了各种频率合成方式的优势,并将他们有效结合,在较宽的频率范围内,在保证一定的杂散电平控制指标的前提下,同时实现了极低相位噪声和高速频率切换功能,同时,由于设计方案合理,调试简单,易于实现工程化生产。 | ||
申请公布号 | CN202364201U | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
申请号 | CN201120375584.2 | 申请日期 | 2011.09.28 |
申请人 | 重庆会凌电子新技术有限公司 | 发明人 | 冯晓东 |
分类号 | H03L7/185(2006.01)I | 主分类号 | H03L7/185(2006.01)I |
代理机构 | 重庆弘旭专利代理有限责任公司 50209 | 代理人 | 周韶红;李玉州 |
主权项 | 一种低相噪高速频率合成装置,包括参考源电路,其特征在于:所述参考源电路经过功率分配器分别与DDS频率发生器电路和小数分频锁相环电路连接,DDS频率发生器电路的输出端连接到射频输出电路的射频输入端;小数分频锁相环电路的输出端连接到射频输出电路的本振输入端;射频输出电路的输出端输出所需射频信号。 | ||
地址 | 401336 重庆市南岸区茶花路7号 |