| 发明名称 | 用于氮化镓增强型晶体管的低栅极-泄漏结构和方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体结构。半导体结构包括：基板上的氮化镓(GaN)层；设置在GaN层上的氮化铝镓(AlGaN)层；以及设置在AlGaN层上的栅叠层。栅叠层包括：III-V化合物n型掺杂层；邻近III-V化合物n型掺杂层的III-V化合物p型掺杂层；以及形成在III-V化合物p型掺杂层和III-V化合物n型掺杂层之上的金属层。 | ||
| 申请公布号 | CN102623490A | 申请公布日期 | 2012.08.01 |
| 申请号 | CN201210020660.7 | 申请日期 | 2012.01.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 亚历山大·卡尔尼茨基;熊志文;蔡俊琳 |
| 分类号 | H01L29/423(2006.01)I;H01L29/49(2006.01)I;H01L29/778(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L21/335(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/423(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;房岭梅 |
| 主权项 | 一种半导体结构，包括：基板上的氮化镓(GaN)层；设置在GaN层上的氮化铝镓(AlGaN)层；以及设置在AlGaN层上的栅叠层，其中，所述栅叠层包括：III‑V化合物n型掺杂层；III‑V化合物p型掺杂层，邻近所述III‑V化合物n型掺杂层；以及金属层，形成在所述III‑V化合物p型掺杂层和所述III‑V化合物n型掺杂层之上。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||