N型超结VDMOS中多晶硅P型柱的形成方法

摘要

本发明公开了一种N型超结VDMOS中多晶硅P型柱的形成方法，包括：步骤一、在一N型硅衬底上形成N型漏区以及N型硅外延层，在N型外延层上刻蚀出V型槽或锥形孔；步骤二、淀积三层多晶硅填满V型槽或锥形孔，其中第二层多晶硅淀积后，进行P型杂质的注入，注入后N型外延层中的P型杂质总量与N型杂质总量相等，三层多晶硅淀积完成后，对衬底表面进行研磨平整化；步骤三、对注入的P型杂质进行退火推进，形成多晶硅P型柱；步骤四、形成N型超结VDMOS的源区、栅极以及源、漏和栅极的金属接触。本发明能够降低工艺成本，并能实现器件的低导通电阻高耐压特性，且工艺参数的可调节性强，适用范围广。

主权项

一种N型超结VDMOS中多晶硅P型柱的形成方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在一N型硅衬底上形成N型漏区以及N型硅外延层，在所述N型硅外延层上刻蚀出V型槽或锥形孔；步骤二、淀积三层多晶硅填满所述V型槽或锥形孔，其中第二层多晶硅淀积后，进行P型杂质的注入，注入后所述N型硅外延层中的P型杂质总量与N型杂质总量相等，所述三层多晶硅淀积完成后，对所述衬底表面进行研磨平整化；步骤三、对所述注入的P型杂质进行退火推进，形成所述多晶硅P型柱；步骤四、形成所述N型超结VDMOS的源区、栅极以及源、漏和栅极的金属接触。