发明名称 电荷泵及电荷泵系统
摘要 一种电荷泵及电荷泵系统。所述电荷泵包括:升压电路、控制电路和电压传输电路;所述升压电路,用于根据第一控制信号将第一输入电压升压;所述电压传输电路包括第一NMOS管,所述第一NMOS管的源极连接升压电路,栅极连接控制电路,漏极作为电荷泵的第一输出端;所述控制电路用于控制所述第一NMOS管的导通或断开;所述第一NMOS管在导通时将升压后的第一输入电压输出;第一NMOS管包括P型衬底,在所述P型衬底中包括N型阱区,在所述N型阱区中包括P型阱区,在所述P型阱区中包括N型掺杂的源极区和漏极区;第一NMOS管的P型衬底、N型阱区分别与源极区相连。本发明避免了MOS管被击穿,提高了电路的可靠性;消除了MOS管的衬偏效应,提高了电荷泵的传输效率。
申请公布号 CN102624222A 申请公布日期 2012.08.01
申请号 CN201210085235.6 申请日期 2012.03.27
申请人 上海宏力半导体制造有限公司 发明人 杨光军;胡剑;吴常谦
分类号 H02M3/07(2006.01)I 主分类号 H02M3/07(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种电荷泵,其特征在于,包括升压电路、控制电路和电压传输电路;所述升压电路,用于根据第一控制信号将第一输入电压升压;所述电压传输电路包括第一NMOS管,所述第一NMOS管的源极连接所述升压电路,栅极连接所述控制电路,漏极作为所述电荷泵的第一输出端;所述控制电路用于控制所述第一NMOS管的导通或断开;所述第一NMOS管在导通时将升压后的第一输入电压输出;其中,所述第一NMOS管包括P型衬底,在所述P型衬底中包括N型阱区,在所述N型阱区中包括P型阱区,在所述P型阱区中包括N型掺杂的源极区和漏极区;所述第一NMOS管的P型衬底、N型阱区分别与源极区相连。
地址 201203 上海市浦东新区浦东张江高科技园区祖冲之路1399号